IXFB82N60Pの技術仕様
IXYS - IXFB82N60P技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFB82N60P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 8mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PLUS264™ | |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 75mOhm @ 41A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1250W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 23000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 82A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFB82 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFB82N60Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFB82N60P | IXFB70N60Q2 | IXFB60N80P | IXFB80N50Q2 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Q2 Class | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Q2 Class |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 23000 pF @ 25 V | 12000 pF @ 25 V | 18000 pF @ 25 V | 15000 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 75mOhm @ 41A, 10V | 88mOhm @ 35A, 10V | 140mOhm @ 30A, 10V | 60mOhm @ 500mA, 10V |
| 基本製品番号 | IXFB82 | IXFB70 | IXFB60 | IXFB80 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 8mA | 5.5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 5.5V @ 8mA |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 1250W (Tc) | 890W (Tc) | 1250W (Tc) | 960W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 82A (Tc) | 70A (Tc) | 60A (Tc) | 80A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | 265 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 800 V | 500 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PLUS264™ | PLUS264™ | PLUS264™ | PLUS264™ |
IXFB82N60P - IXYSのIXFB82N60P PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFB70N60Q2IXYSMOSFET N-CH 600V 70A PLUS264IXFB60N80PIXYSMOSFET N-CH 800V 60A PLUS264IXFC12N100FIXYS / LittelfuseIXFB50N80QIXYS / LittelfuseIXFC13N80QIXYS / LittelfuseIXFB80N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
IXFC15N80QIXYSMOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220IXFC40N30QIXYSMOSFET N-CH 300V ISOPLUS220IXFB72N55Q2IXYSMOSFET N-CH 550V 72A PLUS264IXFC24N50IXYSMOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220IXFC26N50IXYSMOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220IXFB170N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 170A PLUS264IXFB30N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264IXFB44N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264IXFB40N110PIXYSMOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264IXFC26N50QIXYS / LittelfuseIXFC13N50IXYSMOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220IXFB50N80Q2IXYSMOSFET N-CH 800V 50A PLUS264| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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