IXFA7N100Pの技術仕様
IXYS - IXFA7N100P技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFA7N100P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 6V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AA (IXFA) | |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.9Ohm @ 3.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2590 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFA7N100 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFA7N100Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFA7N100P | IXFA34N65X2 | IXFA4N100Q | IXFA3N120 |
| メーカー | IXYS | IXYS Corporation | IXYS | IXYS |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 650V | 1000 V | 1200 V |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™ | HiPerFET™, Q Class | HiPerFET™ |
| パッケージ | Tube | - | Tube | Tube |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 47 nC @ 10 V | 56nC @ 10V | 39 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 6V @ 1mA | 5.5V @ 2.5mA | 4.5V @ 1.5mA | 5V @ 1.5mA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.9Ohm @ 3.5A, 10V | 105 mOhm @ 17A, 10V | 3Ohm @ 2A, 10V | 4.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Tc) | 34A (Tc) | 4A (Tc) | 3A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AA (IXFA) | TO-263AA | TO-263AA (IXFA) | TO-263AA (IXFA) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2590 pF @ 25 V | 3330pF @ 25V | 1050 pF @ 25 V | 1050 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | 540W (Tc) | 150W (Tc) | 200W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | IXFA7N100 | - | IXFA4N100 | IXFA3 |
IXFA7N100P - IXYSのIXFA7N100P PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFA34N65X2IXYS CorporationMOSFET N-CH 650V 34A TO-263
IXFA34N65X2 MOSIXYS / LittelfuseIXFA90N20X3 TRLIXYS / LittelfuseIXFA56N30IXYS / LittelfuseIXFA4N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 4A TO263IXFB100N50P MOSIXYS / LittelfuseIXFA3N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 3A TO263IXFB40N110PIXYSMOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264IXFA22N65X2TRLIXYS / LittelfuseIXFA230N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 230A TO263IXFA5N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 5A TO263IXFA6N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 6A TO263IXFB150N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 150A PLUS264IXFA90N20X3IXYSMOSFET N-CH 200V 90A TO263AAIXFA7N80PIXYSMOSFET N-CH 800V 7A TO263IXFB30N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264IXFB170N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 170A PLUS264IXFB100N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 100A PLUS264| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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