IXFA18N60Xの技術仕様
IXYS - IXFA18N60X技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFA18N60X仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 1.5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AA (IXFA) | |
| シリーズ | HiPerFET™, Ultra X | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 230mOhm @ 9A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 320W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1440 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFA18 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFA18N60Xと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFA18N60X | IXFA180N10T2 | IXFA4N100Q | IXFA3N120 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1440 pF @ 25 V | 10500 pF @ 25 V | 1050 pF @ 25 V | 1050 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 100 V | 1000 V | 1200 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 1.5mA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 1.5mA | 5V @ 1.5mA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AA (IXFA) | TO-263AA (IXFA) | TO-263AA (IXFA) | TO-263AA (IXFA) |
| 基本製品番号 | IXFA18 | IXFA180 | IXFA4N100 | IXFA3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Tc) | 180A (Tc) | 4A (Tc) | 3A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
| シリーズ | HiPerFET™, Ultra X | HiPerFET™, TrenchT2™ | HiPerFET™, Q Class | HiPerFET™ |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 10 V | 185 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 230mOhm @ 9A, 10V | 6mOhm @ 50A, 10V | 3Ohm @ 2A, 10V | 4.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 320W (Tc) | 480W (Tc) | 150W (Tc) | 200W (Tc) |
IXFA18N60X - IXYSのIXFA18N60X PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFA180N10T2IXYSMOSFET N-CH 100V 180A TO263IXFA4N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 4A TO263IXFA3N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXFA22N65X2TRLIXYS / LittelfuseIXFA14N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 14A TO263IXFA230N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 230A TO263IXFA12N65X2-TRLIXYSMOSFET N-CH 650V 12A TO263IXFA10N80PIXYSMOSFET N-CH 800V 10A TO263IXFA130N10T2IXYSMOSFET N-CH 100V 130A TO263IXFA150N15X4IXYS / Littelfuse
IXFA34N65X2IXYS CorporationMOSFET N-CH 650V 34A TO-263IXFA180N10T2 TRLIXYS / LittelfuseIXFA22N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 22A TO263IXFA20N85XHVIXYSMOSFET N-CH 850V 20A TO263IXFA34N65X2 MOSIXYS / LittelfuseIXFA110N15T2IXYSMOSFET N-CH 150V 110A TO263IXFA12N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 12A TO263AAIXFA5N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 5A TO263| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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