IXDD609SIの技術仕様
IXYS Integrated Circuits Division - IXDD609SI技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS Integrated Circuits Division - IXDD609SI仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 35V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC-EP | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 22ns, 15ns | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 1 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 3V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Low-Side | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 9A, 9A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | |
| 基本製品番号 | IXDD609 |
右側の三つのパーツはIXYS Integrated Circuits Division IXDD609SIと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXDD609SI | IXDD609YI | IXDD609PI | IXDD604SIATR |
| メーカー | IXYS Integrated Circuits Division | IXYS Integrated Circuits Division | IXYS Integrated Circuits Division | IXYS Integrated Circuits Division |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| 基本製品番号 | IXDD609 | IXDD609 | IXDD609 | IXDD604 |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 22ns, 15ns | 22ns, 15ns | 22ns, 15ns | 9ns, 8ns |
| 入力周波数 | 1 | 1 | 1 | 2 |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 9A, 9A | 9A, 9A | 9A, 9A | 4A, 4A |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC-EP | TO-263-5 | 8-DIP | 8-SOIC |
| 駆動構成 | Low-Side | Low-Side | Low-Side | Low-Side |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | Single | Single | Independent |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TA) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V |
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IXDD609YIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE TO263IXDD609PIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDD604SIATRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDD604PIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDD609SIAIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDD609CIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5IXDD614PIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXDD604D2TRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
IXDD414YIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE TO263IXDD614SIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDD609SITRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDD604SIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDD614YIIXYS Integrated Circuits DivisionIC PWR DRIVER 1:1 TO263-5IXDD604SIAIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDD504PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDD630CIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5IXDD609SIATRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDD614CIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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