IX2R11S3の技術仕様
IXYS - IX2R11S3技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IX2R11S3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | IXYS Corporation | |
電源電圧 - | 10V ~ 35V | |
サプライヤデバイスパッケージ | 16-SOIC | |
シリーズ | - | |
立上り/立下り時間(Typ) | 8ns, 7ns | |
パッケージ/ケース | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | |
パッケージ | Box | |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
入力周波数 | 2 |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
装着タイプ | Surface Mount | |
ロジック電圧 - VIL、VIH | 6V, 9.6V | |
入力タイプ | Non-Inverting | |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | 500 V | |
ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | |
駆動構成 | Half-Bridge | |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 2A, 2A | |
ベース・エミッタ間飽和電圧(最大) | Independent | |
基本製品番号 | IX2R11 |
右側の三つのパーツはIXYS IX2R11S3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | IX2R11S3 | IX2107PA | IX2410VA | IX2535CEN1 |
メーカー | IXYS | Sharp Microelectronics | Sharp Microelectronics | Sharp Microelectronics |
ロジック電圧 - VIL、VIH | 6V, 9.6V | - | - | - |
駆動構成 | Half-Bridge | - | - | - |
ベース・エミッタ間飽和電圧(最大) | Independent | - | - | - |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | 500 V | - | - | - |
電源電圧 - | 10V ~ 35V | - | - | - |
パッケージ | Box | - | - | - |
入力周波数 | 2 | - | - | - |
装着タイプ | Surface Mount | - | - | - |
パッケージ/ケース | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | - | - | - |
基本製品番号 | IX2R11 | - | - | - |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 2A, 2A | - | - | - |
シリーズ | - | - | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | 16-SOIC | - | - | - |
ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | - | - | - |
立上り/立下り時間(Typ) | 8ns, 7ns | - | - | - |
入力タイプ | Non-Inverting | - | - | - |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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