画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FMK75-01F - IXYS
- メーカー 部品型番
- FMK75-01F
- メーカー
- IXYS Corporation
- Allelco 部品型番
- 32D-FMK75-01F
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
- 詳細な説明
- パッケージ
- i4-Pac™-5
- データシート
- FMK 75-01F.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 4520
FMK75-01Fの技術仕様
IXYS - FMK75-01F技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - FMK75-01F仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 50A, 10V | |
| 電力 - 最大 | - | |
| パッケージ/ケース | i4-Pac™-5 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 180nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | FMK75 |
右側の三つのパーツはIXYS FMK75-01Fと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FMK75-01F | FDS9953A | IRF9362PBF | NDS9953A |
| メーカー | IXYS | onsemi | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 50A, 10V | 130mOhm @ 1A, 10V | 21mOhm @ 8A, 10V | 130mOhm @ 1A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA | 3V @ 250µA | 2.4V @ 25µA | 2.8V @ 250µA |
| 基本製品番号 | FMK75 | FDS99 | IRF9362 | NDS995 |
| シリーズ | HiPerFET™ | PowerTrench® | HEXFET® | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | 185pF @ 15V | 1300pF @ 25V | 350pF @ 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOPLUS i4-PAC™ | 8-SOIC | 8-SO | 8-SOIC |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A | 2.9A | 8A | 2.9A |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| 電力 - 最大 | - | 900mW | 2W | 900mW |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | 30V | 30V | 30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 180nC @ 10V | 3.5nC @ 10V | 39nC @ 10V | 25nC @ 10V |
| パッケージ/ケース | i4-Pac™-5 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
FMKA140Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214ACFMKA130Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214ACFDS9953AonsemiMOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOICIRF9362PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOICNDS9953AFairchild SemiconductorP-CHANNEL POWER MOSFET
FDC6020ConsemiMOSFET N/P-CH 20V 6SSOT
FMKA130onsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214ACFMKA130LFairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AC
TPC8207(TE12L)Toshiba Semiconductor and StorageMOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
VMM1000-01PIXYSMOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LIFDMS3622SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 17.5/34A PWR56FMKA130LonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214ACFMKA140_NLFairchild (onsemi)
BUK7230-55ANXP USA Inc.PFET, 38A I(D), 55V, 0.003OHM, 1FMKA140onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
AOP609Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 60V 8DIPNVMFD5C462NLWFT1GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
SIZ998DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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