DNA30E2200PZの技術仕様
IXYS Corporation - DNA30E2200PZ技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS Corporation - DNA30E2200PZ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.26V @ 30A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 2200V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263 (D2Pak) | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージング | Cut Tape (CT) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| 他の名前 | DNA30E2200PZ-ND DNA30E2200PZCT |
|
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| ダイオードタイプ | Standard | |
| 詳細な説明 | Diode Standard 2200V 30A Surface Mount TO-263 (D2Pak) | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 40µA @ 2200V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 30A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 7pF @ 700V, 1MHz | |
| ベース部品番号 | DNA30E2200 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはIXYS Corporation DNA30E2200PZと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DNA30E2200PZ | DNA30E2200PA | DNA30EM2200PZ | DNA120E2200KO |
| メーカー | IXYS Corporation | IXYS | IXYS Corporation | IXYS |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | Lead free / RoHS Compliant | - |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | 1 (Unlimited) | - |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-2 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | ISOPLUS264™ |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263 (D2Pak) | TO-220AC | TO-263 (D2Pak) | ISOPLUS264™ |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 2200V | 2200 V | 2200V | 2200 V |
| 詳細な説明 | Diode Standard 2200V 30A Surface Mount TO-263 (D2Pak) | - | Diode Standard 2200V 30A Surface Mount TO-263 (D2Pak) | - |
| ベース部品番号 | DNA30E2200 | - | DNA30EM2200 | - |
| パッケージング | Cut Tape (CT) | - | Cut Tape (CT) | - |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 40µA @ 2200V | 40 µA @ 2200 V | 40µA @ 2200V | 100 µA @ 2200 V |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.26V @ 30A | 1.26 V @ 30 A | 1.26V @ 30A | 1.31 V @ 120 A |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 30A | 30A | 30A | 120A |
| ダイオードタイプ | Standard | - | Standard | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| Vrと、F @キャパシタンス | 7pF @ 700V, 1MHz | 7pF @ 700V, 1MHz | 7pF @ 700V, 1MHz | 88pF @ 700V, 1MHz |
| 他の名前 | DNA30E2200PZ-ND DNA30E2200PZCT |
- | DNA30EM2200PZCT | - |
DNA30E2200PZ - IXYS CorporationのDNA30E2200PZ PDFデータテーブルとIXYS Corporationドキュメントをダウンロード
DNA1004CLPRenesas Electronics CorporationDNA30E2200PAIXYSDIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC
DNA1002DSFP-ELHITACHIDNA30EM2200PZIXYS CorporationDIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263DNA120E2200KOIXYSDIODE GP 2.2KV 120A ISOPLUS264DNA1002DSP-ERenesas Electronics CorporationDNA1005AP-ERenesas Electronics CorporationDNA1002EPHITACHIDNA1004BLPHITACHIDNA1002DSFP-EHITACHIDNA1002DSHITACHIDNA1006AFPELL-ERENASESDNA1004CLFEL-ERenesas Electronics CorporationDNA1004BLF-ELHITACHIDNA30E2200FEIXYSDIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4-PACDNA1004CLP-ERenesas Electronics CorporationDNA30ER2200IYIXYSDIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO262DNA1002DSFPEL-ERenesas Electronics Corporation| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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