DCG85X1200NAの技術仕様
IXYS - DCG85X1200NA技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - DCG85X1200NA仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.8 V @ 40 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V | |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| ダイオード構成 | 2 Independent | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 400 µA @ 1200 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 43A | |
| 基本製品番号 | DCG85 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | Not Applicable |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはIXYS DCG85X1200NAと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DCG85X1200NA | BAT54S-E3-08 | BAV70LT3G | FFA20U60DNTU |
| メーカー | IXYS | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | onsemi |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 400 µA @ 1200 V | 2 µA @ 25 V | 2.5 µA @ 70 V | 10 µA @ 600 V |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.8 V @ 40 A | 800 mV @ 100 mA | 1.25 V @ 150 mA | 2.2 V @ 20 A |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | TO-3P |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 43A | 200mA (DC) | 200mA (DC) | 20A |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C | 125°C (Max) | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns | 5 ns | 6 ns | 90 ns |
| ダイオード構成 | 2 Independent | 1 Pair Series Connection | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | DCG85 | BAT54 | BAV70 | FFA20 |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V | 30 V | 100 V | 600 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Schottky | Standard | Standard |
DCG85X1200NA - IXYSのDCG85X1200NA PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
BAT54S-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23BAV70LT3GonsemiDIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23FFA20U60DNTUonsemiDIODE ARRAY GP 600V 20A TO3P
DCG45X1200NAIXYSDIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227BDCG100X1200NAIXYSDIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
RB550EATRRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TSMD5
MMBD7000-7-FDiodes IncorporatedDIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3
UMN11NTNRohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
STPS10H100CFPSTMicroelectronicsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F
DCG010-TL-ESanyoULTRAHIGH-SPEED SWITCHING DIODEBAS40-04-7-FDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23-3DCG10-TDAMI Semiconductor/onsemi
DCG010-TL-EFairchild SemiconductorULTRAHIGH-SPEED SWITCHING DIODE
MBR30H60CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
STPS30150CWSTMicroelectronicsDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO247DCG015-TLAMI Semiconductor/onsemi
DA221TLRohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 20V 100MA EMD3DCG130X1200NAIXYSDIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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