IRFD210の技術仕様
Harris Corporation - IRFD210技術仕様、属性、パラメーター、およびHarris Corporation - IRFD210仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Harris Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 360mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 140 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.2 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 600mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | IRFD210 |
右側の三つのパーツはHarris Corporation IRFD210と同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFD210 | IRFD210PBF | IRFD120 | IRFD213 |
| メーカー | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Harris Corporation |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 600mA (Ta) | 600mA (Ta) | 1.3A (Ta) | 450mA (Ta) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.2 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 360mA, 10V | 1.5Ohm @ 360mA, 10V | 270mOhm @ 780mA, 10V | 2Ohm @ 270mA, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 基本製品番号 | IRFD210 | IRFD210 | IRFD120 | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 140 pF @ 25 V | 140 pF @ 25 V | 360 pF @ 25 V | 140 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 200 V | 100 V | 250 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) | 1W (Ta) | 1.3W (Ta) | - |
IRFD210PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
IRFD110PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFD120Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIPIRFD213Harris CorporationMOSFET N-CH 250V 450MA 4DIPIRFD110Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1A 4DIPIRFD123Harris CorporationMOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIPIRFD120PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIPIRFD213Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 450MA 4DIPIRFD123PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIPIRFD214PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 450MA 4DIPIRFD220Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 800MA 4DIPIRFD113Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 800MA 4DIPIRFD113Harris CorporationMOSFET N-CH 60V 800MA 4DIPIRFD120PBF MOSIRIRFD220PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 800MA 4DIPIRFD210Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 600MA 4DIPIRFD110PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1A 4DIPIRFD220Harris Corporation0.8A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。