IRF630の技術仕様
Harris Corporation - IRF630技術仕様、属性、パラメーター、およびHarris Corporation - IRF630仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Harris Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 5.4A, 10V | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 800 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 43 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはHarris Corporation IRF630と同様の仕様
| 製品属性 | |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF630 | IRF623 | IRF630 | IRF630A |
| メーカー | Harris Corporation | Harris Corporation | STMicroelectronics | Fairchild Semiconductor |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220-3 | TO-220 | TO-220 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 5.4A, 10V | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 150 V | 200 V | 200 V |
| シリーズ | - | - | MESH OVERLAY™ II | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) | 4A (Tc) | 9A (Tc) | 9A (Tc) |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 43 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 800 pF @ 25 V | 450 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V | 650 pF @ 25 V |
IRF630BFairchild (onsemi)IRF623Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF624BFSCIRF624AFairchild (onsemi)IRF630STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 9A TO220ABIRF630AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET
IRF630/FPSTMicroelectronicsIRF630B MOSFairchild (onsemi)IRF624Harris CorporationMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220ABIRF630A MOSFairchild (onsemi)IRF630 MOSSTMicroelectronicsIRF630APBFVBSEMIIRF6305TRLIR
IRF624PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
IRF624PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF624STR MOSIRIRF624Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220ABIRF624SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。