IRF530の技術仕様
Harris Corporation - IRF530技術仕様、属性、パラメーター、およびHarris Corporation - IRF530仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Harris Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 75W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 800 pF @ 25 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはHarris Corporation IRF530と同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF530 | IRF5305LPBF | IRF523 | IRF530 |
| メーカー | Harris Corporation | Infineon Technologies | Harris Corporation | Vishay Siliconix |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 800 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 670 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 75W (Tc) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) | 60W (Tc) | 88W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 8A, 10V | 60mOhm @ 16A, 10V | 360mOhm @ 5.6A, 10V | 160mOhm @ 8.4A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 55 V | 80 V | 100 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-262 | TO-220 | TO-220AB |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Tc) | 31A (Tc) | 8A (Tc) | 14A (Tc) |
| シリーズ | - | HEXFET® | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
IRF5305S F5305SIRIRF5305LPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A TO262IRF5305IRIRF523Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET
IRF522Fairchild (onsemi)IRF5305S/F5305SIRIRF5305SIRIRF530Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A TO220ABIRF5210STRLIR
IRF530onsemiMOSFET N-CH 100V 14A TO220ABIRF5305S MOSIR
IRF530STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
IRF5305PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A TO220ABIRF5210STRPBFIR
IRF5305SPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A D2PAKIRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 38A D2PAKIRF5210SRLPBFTRIRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 38A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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