71V65903S85BQの技術仕様
IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V65903S85BQ技術仕様、属性、パラメーター、およびIDT, Integrated Device Technology Inc - 71V65903S85BQ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IDT (Renesas Electronics Corporation) | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | |
| 電源電圧 - | 3.135V ~ 3.465V | |
| 技術 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 165-CABGA (13x15) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 165-TBGA | |
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Volatile | |
| 記憶容量 | 9Mbit | |
| メモリ組織 | 512K x 18 | |
| メモリインタフェース | Parallel | |
| メモリ形式 | SRAM | |
| 基本製品番号 | 71V65903 | |
| アクセス時間 | 8.5 ns |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
右側の三つのパーツはIDT, Integrated Device Technology Inc 71V65903S85BQと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 71V65903S85BQ | 71V65903S80PFG | 71V67602S166PFG8 | 71V65903S85PFGI |
| メーカー | IDT, Integrated Device Technology Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| メモリ組織 | 512K x 18 | 512K x 18 | 256K x 36 | 512K x 18 |
| メモリインタフェース | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| 記憶容量 | 9Mbit | 9Mbit | 9Mbit | 9Mbit |
| シリーズ | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 165-CABGA (13x15) | 100-TQFP (14x14) | 100-TQFP (14x14) | 100-TQFP (14x14) |
| 技術 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | SRAM - Synchronous, SDR | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) |
| アクセス時間 | 8.5 ns | 8 ns | 3.5 ns | 8.5 ns |
| 基本製品番号 | 71V65903 | 71V65903 | 71V67602 | 71V65903 |
| 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| パッケージ/ケース | 165-TBGA | 100-LQFP | 100-LQFP | 100-LQFP |
| 電源電圧 - | 3.135V ~ 3.465V | 3.135V ~ 3.465V | 3.135V ~ 3.465V | 3.135V ~ 3.465V |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | - | - | - |
| パッケージ | Bulk | Tray | Tape & Reel (TR) | Tray |
| メモリ形式 | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| メモリタイプ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
71V65903S80PFGRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V67602S166PFG8Renesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V65903S85PFGIRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
71V65903None
71V65803S150PFGIIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
71V67603ADI (Analog Devices, Inc.)
71V67603S150BQRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA71V65803S133PFGIIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V65903S85BQGRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
71V67603S133BG8Renesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
71V65903S80PFIDT (Renesas Electronics Corporation)71V65903S85BQRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA71V65903S85BQGIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA71V65803S133PFGIRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V65903S85PFGIIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V65803S150PFIIDT (Renesas Electronics Corporation)71V65803S150PFGIRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V65903S80PFGIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。