71V65803S133BQGの技術仕様
IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V65803S133BQG技術仕様、属性、パラメーター、およびIDT, Integrated Device Technology Inc - 71V65803S133BQG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IDT (Renesas Electronics Corporation) | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | |
| 電源電圧 - | 3.135V ~ 3.465V | |
| 技術 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 165-CABGA (13x15) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 165-TBGA | |
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Volatile | |
| 記憶容量 | 9Mbit | |
| メモリ組織 | 512K x 18 | |
| メモリインタフェース | Parallel | |
| メモリ形式 | SRAM | |
| クロック周波数 | 133 MHz | |
| 基本製品番号 | 71V65803 | |
| アクセス時間 | 4.2 ns |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
右側の三つのパーツはIDT, Integrated Device Technology Inc 71V65803S133BQGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 71V65803S133BQG | 71V65703S85BQI | 71V65803S133PFGI | 71V65803S133PFGI |
| メーカー | IDT, Integrated Device Technology Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 165-CABGA (13x15) | 165-CABGA (13x15) | 100-TQFP (14x14) | 100-TQFP (14x14) |
| 技術 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| メモリインタフェース | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| クロック周波数 | 133 MHz | - | 133 MHz | 133 MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | - | - | - |
| メモリタイプ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| メモリ形式 | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| アクセス時間 | 4.2 ns | 8.5 ns | 4.2 ns | 4.2 ns |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 記憶容量 | 9Mbit | 9Mbit | 9Mbit | 9Mbit |
| パッケージ/ケース | 165-TBGA | 165-TBGA | 100-LQFP | 100-LQFP |
| 電源電圧 - | 3.135V ~ 3.465V | 3.135V ~ 3.465V | 3.135V ~ 3.465V | 3.135V ~ 3.465V |
| メモリ組織 | 512K x 18 | 256K x 36 | 512K x 18 | 512K x 18 |
| 基本製品番号 | 71V65803 | 71V65703 | 71V65803 | 71V65803 |
| パッケージ | Bulk | Tray | Tray | Bulk |
71V65703S85BQIRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA71V65803S133PFGIRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
71V65803S150PFIIDT (Renesas Electronics Corporation)71V65803S133PFGIIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V65803S150PFGIIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V65803S133PFGRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V65703S75PFGIRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V65703S85BQIIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
71V65703S80BGIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA71V65803S133BQIIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA71V65803S133BQIRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
71V65703S80BGRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA71V65803S150PFGIRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V65803S133BQGRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA71V65703S85BQGRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA71V65703S80BQGRenesas Electronics America IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA71V65803S133PFGIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP71V65703S85BQGIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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