HUF75309P3の技術仕様
Harris Corporation - HUF75309P3技術仕様、属性、パラメーター、およびHarris Corporation - HUF75309P3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Harris Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | UltraFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 70mOhm @ 19A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 55W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 350 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24 nC @ 20 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはHarris Corporation HUF75309P3と同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HUF75309P3 | HUF75321D3S | HUF75321D3S | HUF75321D3ST |
| メーカー | Harris Corporation | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 55 V | 55 V | 55 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24 nC @ 20 V | 44 nC @ 20 V | 44 nC @ 20 V | 44 nC @ 20 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 55W (Tc) | 93W (Tc) | 93W (Tc) | 93W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19A (Tc) | 20A (Tc) | 20A (Tc) | 20A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 350 pF @ 25 V | 680 pF @ 25 V | 680 pF @ 25 V | 680 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 70mOhm @ 19A, 10V | 36mOhm @ 20A, 10V | 36mOhm @ 20A, 10V | 36mOhm @ 20A, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
HUF75321D3SonsemiMOSFET N-CH 55V 20A TO252AAHUF75321D3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 55V 20A TO252AAHUF75321D3STonsemiMOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
HUF75321D3ST MOSAMI Semiconductor/onsemi
HUF75309P3onsemiMOSFET N-CH 55V 19A TO220-3HUF75321P3Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3HUF75321P3onsemiMOSFET N-CH 55V 35A TO220-3
HUF75309T3STonsemiMOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4HUF75309D3SHarris CorporationMOSFET N-CH 55V 19A DPAKHUF75309P3Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 55V 19A TO220-3HUF75307T3ST136Harris Corporation13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL,HUF75309D3SonsemiMOSFET N-CH 55V 19A DPAKHUF75307T3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4HUF75309D3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 55V 19A DPAK
HUF75309D3 MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)HUF75321D3STFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2HUF75309D3STonsemiMOSFET N-CH 55V 19A DPAKHUF75309D3Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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