HGTP7N60C3Dの技術仕様
Harris Corporation - HGTP7N60C3D技術仕様、属性、パラメーター、およびHarris Corporation - HGTP7N60C3D仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Harris Corporation | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2V @ 15V, 7A | |
| 試験条件 | - | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | - | |
| エネルギーの切り替え | - | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 35 ns | |
| 電力 - 最大 | 60 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | - | |
| ゲートチャージ | 38 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 56 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 14 A |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはHarris Corporation HGTP7N60C3Dと同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HGTP7N60C3D | HGTP3N60A4D | HGTP5N120BND | HGTP7N60C3D |
| メーカー | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | - | 6ns/73ns | 22ns/160ns | - |
| 逆回復時間（trrの） | 35 ns | 29 ns | 65 ns | - |
| ゲートチャージ | 38 nC | 21 nC | 53 nC | 23 nC |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 試験条件 | - | 390V, 3A, 50Ohm, 15V | 960V, 5A, 25Ohm, 15V | 480V, 7A, 50Ohm, 15V |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| 電力 - 最大 | 60 W | 70 W | 167 W | 60 W |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | 600 V | 1200 V | 600 V |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| エネルギーの切り替え | - | 37µJ (on), 25µJ (off) | 450µJ (on), 390µJ (off) | 165µJ (on), 600µJ (off) |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 56 A | 40 A | 40 A | 56 A |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2V @ 15V, 7A | 2.7V @ 15V, 3A | 2.7V @ 15V, 5A | 2V @ 15V, 7A |
| IGBTタイプ | - | - | NPT | - |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 14 A | 17 A | 21 A | 14 A |
HGTP3N60A4DFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTP5N120BNDonsemiIGBT 1200V 21A 167W TO220ABHGTP7N60C3DonsemiIGBT 600V 14A 60W TO220ABHGTP7N60A4 7N60A4FSCHGTP6N50E1DFairchild (onsemi)HGTP3N60A4DonsemiIGBT 600V 17A 70W TO220ABHGTP7N60A4D 7N60A4DFairchild (onsemi)HGTP7N60A4 G7N60A4Fairchild (onsemi)HGTP7N60BHGTP3N60A4 3N60A4FSCHGTP3N60A4,G3N60A4Fairchild (onsemi)HGTP7N60B3DonsemiIGBT 600V 14A 60W TO220ABHGTP7N60C3DFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTP7N60B3DFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTP7N60A4onsemiIGBT 600V 34A TO220-3HGTP7N60A4DonsemiIGBT 600V 34A 125W TO220ABHGTP7N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP7N60B3DHarris CorporationIGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL, TO-2| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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