G30N03D3の技術仕様
Goford Semiconductor - G30N03D3技術仕様、属性、パラメーター、およびGoford Semiconductor - G30N03D3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
メーカー | Goford Semiconductor | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (3.15x3.05) | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7mOhm @ 20A, 10V | |
電力消費(最大) | 24W | |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 825 pF @ 15 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A |
右側の三つのパーツはGoford Semiconductor G30N03D3と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | G30N03D3 | G30E0A3R | G30120CTW | G30B0A3R |
メーカー | Goford Semiconductor | Marvell Semiconductor, Inc. | Linear Technology / Analog Devices | Marvell Semiconductor, Inc. |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 825 pF @ 15 V | - | - | - |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | - | - | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A | - | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (3.15x3.05) | - | - | - |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | - | - | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7mOhm @ 20A, 10V | - | - | - |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
FETタイプ | N-Channel | - | - | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13 nC @ 10 V | - | - | - |
電力消費(最大) | 24W | - | - | - |
シリーズ | - | - | - | - |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
Vgs(最大) | ±20V | - | - | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | - | - | - |
装着タイプ | Surface Mount | - | - | - |
G30N03D3 - Goford SemiconductorのG30N03D3 PDFデータテーブルとGoford Semiconductorドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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