GD25Q16CWIGRの技術仕様
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25Q16CWIGR技術仕様、属性、パラメーター、およびGigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25Q16CWIGR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | GigaDevice | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 50µs, 2.4ms | |
| 電源電圧 - | 2.7V ~ 3.6V | |
| 技術 | FLASH - NOR | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-WSON (5x6) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 8-WDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Non-Volatile | |
| 記憶容量 | 16Mbit | |
| メモリ組織 | 2M x 8 | |
| メモリインタフェース | SPI - Quad I/O | |
| メモリ形式 | FLASH | |
| クロック周波数 | 120 MHz | |
| 基本製品番号 | GD25Q16 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 3 (168 Hours) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
右側の三つのパーツはGigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CWIGRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | GD25Q16CWIGR | GD25Q16CSJGR | GD25Q16CSIGR | GD25Q16ETIGR |
| メーカー | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| 記憶容量 | 16Mbit | 16Mbit | 16Mbit | 16Mbit |
| メモリインタフェース | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O |
| 技術 | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| シリーズ | - | - | - | - |
| メモリタイプ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| パッケージ/ケース | 8-WDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-WSON (5x6) | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 105°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 基本製品番号 | GD25Q16 | GD25Q16 | GD25Q16 | GD25Q16 |
| クロック周波数 | 120 MHz | 120 MHz | 120 MHz | 133 MHz |
| メモリ組織 | 2M x 8 | 2M x 8 | 2M x 8 | 2M x 8 |
| 電源電圧 - | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| メモリ形式 | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 50µs, 2.4ms | 50µs, 2.4ms | 50µs, 2.4ms | 70µs, 2ms |
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GD25Q16CSJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOPGD25Q16CSIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOPGD25Q16PCPGIGADEVICGD25Q16ETIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOPGD25Q16CTIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP
GD25Q16EEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USONGD25Q16SCTGDGD25Q16CSIGYGDGD25Q16CSIGGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOPGD25Q16CS16GDGD25Q16CTIGGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOPGD25Q16SCPRGDGD25Q16SCPN/AGD25Q16ESIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOPGD25Q16ETIGGDGD25Q16ESIGGigaDeviceGD25Q16CSFGRGIGADEVICGD25Q16CTIGYGigaDevice| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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