画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
MBR60060CT - GeneSiC Semiconductor
- メーカー 部品型番
- MBR60060CT
- Allelco 部品型番
- 32D-MBR60060CT
- ECADモデル
- モデルの説明
- DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER
- 詳細な説明
- パッケージ
- Twin Tower
- RoHS ステータス
- RoHS準拠
- 在庫あり: 374
MBR60060CTの技術仕様
GeneSiC Semiconductor - MBR60060CT技術仕様、属性、パラメーター、およびGeneSiC Semiconductor - MBR60060CT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 800 mV @ 300 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 60 V | |
| 技術 | Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Twin Tower | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | Twin Tower |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Bulk | |
| 動作温度 - ジャンクション | -50°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 mA @ 20 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 300A | |
| 基本製品番号 | MBR60060 |
右側の三つのパーツはGeneSiC Semiconductor MBR60060CTと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | MBR60060CT | MBR600200CT | MBR60100CT-E3/45 | MBR600100CT |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | GeneSiC Semiconductor |
| 基本製品番号 | MBR60060 | MBR600200 | MBR60 | MBR600100 |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 300A | 300A | 30A | 300A |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 mA @ 20 V | 3 mA @ 200 V | 100 µA @ 100 V | 1 mA @ 20 V |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 800 mV @ 300 A | 920 mV @ 300 A | 820 mV @ 30 A | 880 mV @ 300 A |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| パッケージ/ケース | Twin Tower | Twin Tower | TO-220-3 | Twin Tower |
| 動作温度 - ジャンクション | -50°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| サプライヤデバイスパッケージ | Twin Tower | Twin Tower | TO-220-3 | Twin Tower |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tube | Bulk |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 60 V | 200 V | 100 V | 100 V |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 技術 | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
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MBR5H150VPC-E1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 150V 5A DO201MBR600200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWERMBR60100CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR600100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
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MBR60200PTAMI Semiconductor/onsemiMBR60100GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 100V 60A DO5MBR6020GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 60A DO5MBR60035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
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|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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