画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
MBR40080CT - GeneSiC Semiconductor
- メーカー 部品型番
- MBR40080CT
- Allelco 部品型番
- 32D-MBR40080CT
- ECADモデル
- モデルの説明
- DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
- 詳細な説明
- パッケージ
- Twin Tower
- RoHS ステータス
- RoHS準拠
- 在庫あり: 360
MBR40080CTの技術仕様
GeneSiC Semiconductor - MBR40080CT技術仕様、属性、パラメーター、およびGeneSiC Semiconductor - MBR40080CT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 840 mV @ 200 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 80 V | |
| 技術 | Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Twin Tower | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | Twin Tower |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Bulk | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 mA @ 20 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 200A | |
| 基本製品番号 | MBR40080 |
右側の三つのパーツはGeneSiC Semiconductor MBR40080CTと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | MBR40080CT | MBR400150CT | MBR40020CT | MBR40060CT |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 80 V | 150 V | 20 V | 60 V |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 200A | 200A | 200A | 200A |
| サプライヤデバイスパッケージ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| 基本製品番号 | MBR40080 | MBR400150 | MBR40020 | MBR40060 |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 840 mV @ 200 A | 880 mV @ 200 A | 650 mV @ 200 A | 800 mV @ 200 A |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| 技術 | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| パッケージ/ケース | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 mA @ 20 V | 3 mA @ 150 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V |
MBR40080CT - GeneSiC SemiconductorのMBR40080CT PDFデータテーブルとGeneSiC Semiconductorドキュメントをダウンロード
MBR400150CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWERMBR40100PTYangjie TechnologyTO-247AB 100V 40A Diodes RectiMBR40020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 200A 2TOWERMBR40060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 200A 2TOWERMBR40100CTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-MBR40150PTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-
MBR40150CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220
MBR40100PTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247MBR40030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 200A 2TOWERMBR400200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWERMBR40035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 200A 2TOWERMBR40100CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
MBR40100WTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247MBR40090CTIXFNIGBT ModuleMBR40040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 200A 2TOWER
MBR40100WTLittelfuse Inc.DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO247ADMBR40100CLUTCMBR40045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 200A 2TOWER| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。