KBU1010の技術仕様
GeneSiC Semiconductor - KBU1010技術仕様、属性、パラメーター、およびGeneSiC Semiconductor - KBU1010仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | GeneSiC Semiconductor | |
電圧 - ピーク逆(最大) | 1 kV | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.05 V @ 10 A | |
技術 | Standard | |
サプライヤデバイスパッケージ | KBU | |
シリーズ | - | |
パッケージ/ケース | 4-SIP, KBU |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
ダイオードタイプ | Single Phase | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 1000 V | |
電流 - 平均整流(イオ) | 10 A |
右側の三つのパーツはGeneSiC Semiconductor KBU1010と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | KBU1010 | KBU1004 | KBU4D | KBU1506 |
メーカー | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Good-Ark Semiconductor | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
サプライヤデバイスパッケージ | KBU | KBU | KBU | KBU |
電流 - 平均整流(イオ) | 10 A | 10 A | 4 A | 15 A |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
パッケージ/ケース | 4-SIP, KBU | 4-SIP, KBU | 4-SIP, KBU | 4-ESIP, KBU |
電圧 - ピーク逆(最大) | 1 kV | 400 V | 200 V | 600 V |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 400 V | 5 µA @ 200 V | 10 µA @ 600 V |
パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Box |
シリーズ | - | - | - | - |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.05 V @ 10 A | 1.05 V @ 10 A | 1 V @ 4 A | 1.1 V @ 7.5 A |
技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
ダイオードタイプ | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
KBU1010 - GeneSiC SemiconductorのKBU1010 PDFデータテーブルとGeneSiC Semiconductorドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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