GBJ25Kの技術仕様
GeneSiC Semiconductor - GBJ25K技術仕様、属性、パラメーター、およびGeneSiC Semiconductor - GBJ25K仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | GeneSiC Semiconductor | |
電圧 - ピーク逆(最大) | 800 V | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.05 V @ 12.5 A | |
技術 | Standard | |
サプライヤデバイスパッケージ | GBJ | |
シリーズ | - | |
パッケージ/ケース | 4-SIP, GBJ |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
ダイオードタイプ | Single Phase | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 800 V | |
電流 - 平均整流(イオ) | 25 A | |
基本製品番号 | GBJ25 |
右側の三つのパーツはGeneSiC Semiconductor GBJ25Kと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | GBJ25K | GBJ25J | GBJ3510 | GBJ3508 |
メーカー | GeneSiC Semiconductor | SURGE | SMC Diode Solutions | HY Electronic (Cayman) Limited |
電圧 - ピーク逆(最大) | 800 V | 600 V | 1 kV | 800 V |
技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
基本製品番号 | GBJ25 | - | GBJ3510 | - |
パッケージ | Bulk | Bag | Tube | Tube |
電流 - 平均整流(イオ) | 25 A | 3.5 A | 35 A | 35 A |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.05 V @ 12.5 A | 1 V @ 12.5 A | - | 1.1 V @ 17.5 A |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
シリーズ | - | - | - | GBJ |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ダイオードタイプ | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 800 V |
サプライヤデバイスパッケージ | GBJ | GBJ(5S) | GBJ | GBJ |
パッケージ/ケース | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, KBJ | 4-ESIP | 4-SIP, GBJ |
GBJ25K - GeneSiC SemiconductorのGBJ25K PDFデータテーブルとGeneSiC Semiconductorドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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