GB2X100MPS12-227の技術仕様
GeneSiC Semiconductor - GB2X100MPS12-227技術仕様、属性、パラメーター、およびGeneSiC Semiconductor - GB2X100MPS12-227仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.8 V @ 100 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V | |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 | |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| シリーズ | SiC Schottky MPS™ | |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| ダイオード構成 | 2 Independent | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 80 µA @ 1200 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 185A (DC) | |
| 基本製品番号 | GB2X100 |
右側の三つのパーツはGeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | GB2X100MPS12-227 | GB2X50MPS12-227 | MBRB2535CTHE3/45 | DPG30C300PB |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | IXYS |
| 基本製品番号 | GB2X100 | GB2X50 | MBRB25 | DPG30C300 |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V | 1200 V | 35 V | 300 V |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 80 µA @ 1200 V | 40 µA @ 1200 V | 200 µA @ 35 V | 1 µA @ 300 V |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns | 0 ns | - | 35 ns |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 | SOT-227 | TO-263AB (D²PAK) | TO-220-3 |
| シリーズ | SiC Schottky MPS™ | SiC Schottky MPS™ | Automotive, AEC-Q101 | HiPerFRED™ |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Schottky | Standard |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Surface Mount | Through Hole |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 185A (DC) | 93A (DC) | 15A | 15A |
| ダイオード構成 | 2 Independent | 2 Independent | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.8 V @ 100 A | 1.8 V @ 50 A | 820 mV @ 30 A | 1.26 V @ 15 A |
GB2X100MPS12-227 - GeneSiC SemiconductorのGB2X100MPS12-227 PDFデータテーブルとGeneSiC Semiconductorドキュメントをダウンロード
GB25XF120K/1IRIGBT ModuleGB25RF120KIRIGBT ModuleGB201209D400TTJKMTGB203-3PLSGB201209D500TTZKGB25XF120K/2IRIGBT ModuleGB2X50MPS12-227GeneSiC SemiconductorSIC DIODE 1200V 100A SOT-227MBRB2535CTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO263ABGB201212K800TMGB215AHANAGB20600.HD29L1-B112HDICDPG30C300PBIXYSDIODE ARRAY GP 300V 15A TO220AB
MDD44-08N1BIXYSDIODE MODULE 800V 64A TO240AA
BAW56LT1onsemiDIODE SWITCH DUAL CA 70V SOT23GB25XF120KIRIGBT ModuleGB200MD120KIRIGBT Module
GB2000033Diodes IncorporatedCRYSTAL 20.0000MHZ 18PFGB200TS60NPBFIRIGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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