PMV30UN,215の技術仕様
NXP USA Inc. - PMV30UN,215技術仕様、属性、パラメーター、およびNXP USA Inc. - PMV30UN,215仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 1mA (Typ) | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23 (TO-236AB) | |
| シリーズ | TrenchMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 36mOhm @ 2A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 1.9W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 460 pF @ 20 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.4 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.7A (Tc) | |
| 基本製品番号 | PMV3 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはNXP USA Inc. PMV30UN,215と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | PMV30UN,215 | PMV280ENEAR | PMV30UN2R | PMV30XN,215 |
| メーカー | NXP USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | NXP USA Inc. |
| シリーズ | TrenchMOS™ | Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™ | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.4 nC @ 4.5 V | 6.8 nC @ 10 V | 11 nC @ 4.5 V | 7.4 nC @ 4.5 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 460 pF @ 20 V | 190 pF @ 50 V | 655 pF @ 10 V | 420 pF @ 15 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23 (TO-236AB) | TO-236AB | TO-236AB | SOT-23 (TO-236AB) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 36mOhm @ 2A, 4.5V | 385mOhm @ 1.1A, 10V | 32mOhm @ 4.2A, 4.5V | 35mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V | 1.2V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 100 V | 20 V | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.7A (Tc) | 1.1A (Ta) | 4.2A (Ta) | 3.2A (Ta) |
| Vgs（最大） | ±8V | ±20V | ±12V | ±12V |
| 基本製品番号 | PMV3 | PMV280 | PMV30 | PMV3 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 1.9W (Tc) | 580mW (Ta) | 490mW (Ta), 5W (Tc) | 380mW (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 1mA (Typ) | 2.7V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
PMV30UN,215 - NXP USA Inc.のPMV30UN,215 PDFデータテーブルとNXP USA Inc.ドキュメントをダウンロード
PMV30UN+215Freescale / NXP SemiconductorsPMV280ENEARNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236ABPMV28UNEARNexperiaPMV30XNENexperiaPMV30UN2+215Freescale / NXP SemiconductorsPMV30UN2RNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236ABPMV30ENEARNexperiaPMV30ENEANexperia
PMV30UNNEXPPMV30XPARNXP SemiconductorsPMV30XN,215NXP USA Inc.MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236ABPMV30XNFreescale / NXP SemiconductorsPMV28UN,215NXP USA Inc.MOSFET N-CH 20V 3.3A TO236ABPMV30UN2NexperiaPMV28UNNexperiaPMV30UN215Freescale / NXP SemiconductorsPMV28UNEANexperiaPMV30XN215Freescale / NXP Semiconductors| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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