PMV130ENEARの技術仕様
NXP Semiconductors - PMV130ENEAR技術仕様、属性、パラメーター、およびNXP Semiconductors - PMV130ENEAR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-236AB | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 1.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 460mW (Ta), 5W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 170 pF @ 20 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.6 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.1A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはNXP Semiconductors PMV130ENEARと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | PMV130ENEAR | PMV130ENEAR | PMV164ENEAR | PMV160UP,215 |
| メーカー | NXP Semiconductors | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | NXP USA Inc. |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-236AB | TO-236AB | TO-236AB | SOT-23 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.1A (Ta) | 2.1A (Ta) | 1.6A (Ta) | 1.2A (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.7V @ 250µA | 950mV @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 40 V | 60 V | 20 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 170 pF @ 20 V | 170 pF @ 20 V | 110 pF @ 30 V | 365 pF @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 1.5A, 10V | 120mOhm @ 1.5A, 10V | 218mOhm @ 1.6A, 10V | 210mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| シリーズ | - | Automotive, AEC-Q100 | Automotive, AEC-Q101 | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±8V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.6 nC @ 10 V | 3.6 nC @ 10 V | 3.8 nC @ 10 V | 4 nC @ 4.5 V |
| 電力消費（最大） | 460mW (Ta), 5W (Tc) | 460mW (Ta), 5W (Tc) | 640mW (Ta), 5.8W (Tc) | 335mW (Ta), 2.17W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
PMV130ENEAR - NXP SemiconductorsのPMV130ENEAR PDFデータテーブルとNXP Semiconductorsドキュメントをダウンロード
PMV16UNNexperiaPMV16UN215Freescale / NXP SemiconductorsPMV100EPEANexperiaPMV130ENEARNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236ABPMV164ENEARNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236ABPMV160UP,215NXP USA Inc.NOW NEXPERIA PMV160UP - SMALL SIPMV160UP215Freescale / NXP SemiconductorsPMV100XPEARNexperia USA Inc.MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236ABPMV120ENEARNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236ABPMV130ENEANexperia
PMV16UN,215NXP USA Inc.MOSFET N-CH 20V 5.8A TO236ABPMV160UPNexperiaPMV117ENNexperiaPMV117EN,215NXP USA Inc.MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236ABPMV100EPARNexperia USA Inc.MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236ABPMV160UP,215Nexperia USA Inc.MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236ABPMV100XPEANexperiaPMV120ENEANexperia| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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