PMN35EN,115の技術仕様
NXP Semiconductors / Freescale - PMN35EN,115技術仕様、属性、パラメーター、およびNXP Semiconductors / Freescale - PMN35EN,115仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | NXP Semiconductors | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 31 mOhm @ 5.1A, 10V | |
電力消費(最大) | 500mW (Ta) | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
パッケージ/ケース | SC-74, SOT-457 | |
他の名前 | 934065376115 PMN35EN115 |
|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 | |
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装着タイプ | Surface Mount | |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 334pF @ 15V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9.3nC @ 10V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | |
詳細な説明 | N-Channel 30V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.1A (Ta) |
右側の三つのパーツはNXP Semiconductors / Freescale PMN35EN,115と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | PMN35EN,115 | PMN30XPAX | PMN30UNEX | PMN40UPE,115 |
メーカー | NXP Semiconductors / Freescale | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | NXP USA Inc. |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
パッケージ/ケース | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 2.5V, 8V | 1.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9.3nC @ 10V | 16 nC @ 4.5 V | 9 nC @ 4.5 V | 23 nC @ 4.5 V |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
詳細な説明 | N-Channel 30V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP | - | - | - |
シリーズ | - | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | - | - |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
他の名前 | 934065376115 PMN35EN115 |
- | - | - |
Vgs(最大) | ±20V | ±12V | ±8V | ±8V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | 20 V | 20 V | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.1A (Ta) | 5.2A (Ta) | 4.8A (Ta) | 4.7A (Ta) |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 334pF @ 15V | 1039 pF @ 10 V | 558 pF @ 10 V | 1820 pF @ 10 V |
電力消費(最大) | 500mW (Ta) | 660mW (Ta), 7.5W (Tc) | 530mW (Ta), 4.46W (Tc) | 500mW (Ta), 8.33W (Tc) |
FET特長 | - | - | - | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 31 mOhm @ 5.1A, 10V | 33mOhm @ 5.2A, 8V | 36mOhm @ 4.8A, 4.5V | 43mOhm @ 3A, 4.5V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | 1.3V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 950mV @ 250µA |
PMN35EN,115 - NXP Semiconductors / FreescaleのPMN35EN,115 PDFデータテーブルとNXP Semiconductors / Freescaleドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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