PMGD8000LN,115の技術仕様
NXP USA Inc. - PMGD8000LN,115技術仕様、属性、パラメーター、およびNXP USA Inc. - PMGD8000LN,115仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 100µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSSOP | |
| シリーズ | TrenchMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8Ohm @ 10mA, 4V | |
| 電力 - 最大 | 200mW | |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 18.5pF @ 5V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.35nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 125mA | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | PMGD8 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはNXP USA Inc. PMGD8000LN,115と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | PMGD8000LN,115 | PMGD370XN,115 | PMGD290UCEAX | PMGD780SN,115 |
| メーカー | NXP USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 125mA | 740mA | 725mA, 500mA | 490mA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8Ohm @ 10mA, 4V | 440mOhm @ 200mA, 4.5V | 380mOhm @ 500mA, 4.5V | 920mOhm @ 300mA, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSSOP | 6-TSSOP | 6-TSSOP | 6-TSSOP |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 20V | 60V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | Automotive, AEC-Q100 | TrenchMOS™ |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 18.5pF @ 5V | 37pF @ 25V | 83pF @ 10V | 23pF @ 30V |
| 基本製品番号 | PMGD8 | PMGD370 | PMGD290 | PMGD780 |
| 電力 - 最大 | 200mW | 410mW | 280mW | 410mW |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.35nC @ 4.5V | 0.65nC @ 4.5V | 0.68nC @ 4.5V | 1.05nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 100µA | 1.5V @ 250µA | 1.3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
PMGD8000LN,115 - NXP USA Inc.のPMGD8000LN,115 PDFデータテーブルとNXP USA Inc.ドキュメントをダウンロード
PMGD290XN115SOT363PMGD370XN,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
PMGD175XNEXNexperia
PMGD780SNFreescale / NXP SemiconductorsPMGD280UNNexperiaPMGD290XN115NexperiaPMGD175XNENexperiaPMGD280UN115PMGD290UCEAXNexperia USA Inc.MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOPPMGD780SN,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOPPMGD8000LNFreescale / NXP SemiconductorsPMGD400UNNEXPPMGD280UN,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOPPMGD370XN.115PHIPMGD290UCEA115PMGD780SN+115Freescale / NXP SemiconductorsPMGD370XNFreescale / NXP SemiconductorsPMGD400UN,115NXP USA Inc.MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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