MRFG35010NT1の技術仕様
NXP USA Inc. - MRFG35010NT1技術仕様、属性、パラメーター、およびNXP USA Inc. - MRFG35010NT1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors | |
| 電圧 - テスト | 12 V | |
| 電圧 - 定格 | 15 V | |
| 技術 | pHEMT FET | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PLD-1.5 | |
| シリーズ | - | |
| 電力出力 | 9W | |
| パッケージ/ケース | PLD-1.5 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 雑音指数 | - | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 利得 | 10dB | |
| 周波数 | 3.55GHz | |
| 現在の評価（AMP） | - | |
| 電流 - テスト | 180 mA | |
| 基本製品番号 | MRFG35 |
右側の三つのパーツはNXP USA Inc. MRFG35010NT1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | MRFG35010NT1 | MRFG35003N6T1 | MRFG35020AR1 | MRFG35010 |
| メーカー | NXP USA Inc. | Freescale Semiconductor | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| 基本製品番号 | MRFG35 | MRFG35 | MRFG35 | MRFG35 |
| 電圧 - テスト | 12 V | 6 V | 12 V | 12 V |
| 電力出力 | 9W | 3W | 2W | 9W |
| 電圧 - 定格 | 15 V | 8 V | 15 V | 15 V |
| 電流 - テスト | 180 mA | 180 mA | 300 mA | 130 mA |
| 利得 | 10dB | 9dB | 11.5dB | 10dB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| パッケージ/ケース | PLD-1.5 | PLD-1.5 | NI-360 | NI-360HF |
| 周波数 | 3.55GHz | 3.55GHz | 3.5GHz | 3.55GHz |
| サプライヤデバイスパッケージ | PLD-1.5 | PLD-1.5 | NI-360 | NI-360HF |
| 雑音指数 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | - | Chassis Mount | Chassis Mount |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 技術 | pHEMT FET | pHEMT FET | pHEMT FET | pHEMT FET |
| 現在の評価（AMP） | - | - | - | - |
MRFG35010NT1 - NXP USA Inc.のMRFG35010NT1 PDFデータテーブルとNXP USA Inc.ドキュメントをダウンロード
MRFG35003N6T1Freescale SemiconductorRF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-CMRFG35020AR1NXP USA Inc.FET RF 15V 3.5GHZ NI-360
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|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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