BZX884-B15315の技術仕様
NXP USA Inc. - BZX884-B15315技術仕様、属性、パラメーター、およびNXP USA Inc. - BZX884-B15315仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | NXP Semiconductors | |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 15 V | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 900 mV @ 10 mA | |
公差 | ±2% | |
サプライヤデバイスパッケージ | DFN1006-2 | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 250 mW |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | SOD-882 | |
パッケージ | Bulk | |
運転温度 | -65°C ~ 150°C | |
装着タイプ | Surface Mount | |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 15 Ohms | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 nA @ 10.5 V |
右側の三つのパーツはNXP USA Inc. BZX884-B15315と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | BZX884-B15315 | BZX884-B18,315 | BZX85C9V1 | BZX884-B18,315 |
メーカー | NXP USA Inc. | Nexperia USA Inc. | onsemi | NXP USA Inc. |
パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 15 V | 18 V | 9.1 V | 18 V |
運転温度 | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | - | -65°C ~ 150°C |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 nA @ 10.5 V | 50 nA @ 12.6 V | 1 µA @ 6.8 V | 50 nA @ 12.6 V |
サプライヤデバイスパッケージ | DFN1006-2 | DFN1006-2 | DO-41G | DFN1006-2 |
電力 - 最大 | 250 mW | 250 mW | 1.3 W | 250 mW |
パッケージ/ケース | SOD-882 | SOD-882 | DO-204AL, DO-41, Axial | SOD-882 |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
公差 | ±2% | ±2% | ±5% | ±2% |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 900 mV @ 10 mA | 900 mV @ 10 mA | 1.2 V @ 200 mA | 900 mV @ 10 mA |
シリーズ | - | Automotive, AEC-Q100 | - | - |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 15 Ohms | 45 Ohms | 5 Ohms | 45 Ohms |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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