US1AFAの技術仕様
Fairchild Semiconductor - US1AFA技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - US1AFA仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 950 mV @ 1 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 50 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOD-123FA | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 50 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | SOD-123W | |
| パッケージ | Bulk | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 50 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 20pF @ 4V, 1MHz |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor US1AFAと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | US1AFA | US1A-M3/61T | US1B-M3/61T | US1B-E3/61T |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 50 V | 50 V | 100 V | 100 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOD-123FA | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) |
| 逆回復時間（trrの） | 50 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | 1A | 1A | 1A |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 950 mV @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A |
| パッケージ/ケース | SOD-123W | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| Vrと、F @キャパシタンス | 20pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - | - | - | - |
US1881LUAMelexisUS1A-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO214ACUS1B-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
US1B-E3Electro-Films (EFI) / VishayUS1881KUA-AAA-000-BUMelexis Technologies NVMAGNETIC SWITCH LATCH TO92UAUS1B-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACUS1C-E3/61TElectro-Films (EFI) / Vishay
US1881LUA-AAA-000-BUMelexis Technologies NVMAGNETIC SWITCH LATCH TO92UAUS1B T/RPANJITUS1881LUA-AAA-OOO-BUMelexis
US1AFAonsemiDIODE GEN PURP 50V 1A SOD123FAUS1BFAonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FAUS1A-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
US1881LSE-AAA-000-REMelexis Technologies NVMAGNETIC SWITCH LATCH TSOT23-3
US1B-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A SMAUS1A-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 1A SMAUS1A-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 1A SMA
US1881LSOMelexis Technologies NVMAGNETIC SWITCH LATCH SOT23| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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