NTMFS5C404NLT1Gの技術仕様
Fairchild Semiconductor - NTMFS5C404NLT1G技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - NTMFS5C404NLT1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 0.75mOhm @ 50A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.2W (Ta), 167W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12168 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 181 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 52A (Ta), 370A (Tc) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor NTMFS5C404NLT1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTMFS5C404NLT1G | NTMFS4H01NFT1G | NTMFS5C430NLT1G | NTMFS4H02NT3G |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 0.75mOhm @ 50A, 10V | 0.7mOhm @ 30A, 10V | 1.5mOhm @ 50A, 10V | 1.4mOhm @ 30A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 52A (Ta), 370A (Tc) | 54A (Ta), 334A (Tc) | 200A (Tc) | 37A (Ta), 193A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 25 V | 40 V | 25 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12168 pF @ 25 V | 5538 pF @ 12 V | 4300 pF @ 20 V | 2651 pF @ 12 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 181 nC @ 10 V | 82 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | 38.5 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 3.2W (Ta), 167W (Tc) | 3.2W (Ta), 125W (Tc) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) | 3.13W (Ta), 83W (Tc) |
NTMFS4H01NFT1GonsemiMOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFNNTMFS5C430NLT1GonsemiMOSFET N-CH 40V 200A 5DFNNTMFS4H02NT3GonsemiMOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFNNTMFS5C426NT1GonsemiMOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFNNTMFS5C430NT1GonsemiMOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFNNTMFS5832NLT1GonsemiMOSFET N-CH 40V 20A/111A 5DFNNTMFS5C410NLT1GonsemiMOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFNNTMFS4H01NT1GonsemiMOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFNNTMFS5C410NT1GonsemiMOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFNNTMFS4H02NFT1GonsemiMOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
NTMFS5C423NLT1GFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTORNTMFS5C404NLT1GonsemiMOSFET N-CH 40V 52A/370A 5DFNNTMFS5830NLT1GonsemiMOSFET N-CH 40V 28A/172A 5DFNNTMFS4H02NFT3GonsemiMOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFNNTMFS4H01NT3GonsemiMOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFNNTMFS5844NLT1GonsemiMOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFNNTMFS5C423NLT1GonsemiMOSFET N-CH 40V 5DFNNTMFS5C442NLT1GonsemiMOSFET N-CH 40V 27A/130A 5DFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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