KSD362RTUの技術仕様
Fairchild Semiconductor - KSD362RTU技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - KSD362RTU仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Fairchild (onsemi) | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 70 V | |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 1V @ 500mA, 5A | |
トランジスタ型式 | NPN | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 40 W | |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Tube | |
運転温度 | 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
周波数 - トランジション | 10MHz | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 40 @ 5A, 5V | |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 20µA (ICBO) | |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 5 A |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor KSD362RTUと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | KSD362RTU | KSD363R | KSD363YTU | KSD363RTU |
メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
パッケージ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
電力 - 最大 | 40 W | 40 W | 40 W | 40 W |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 1V @ 500mA, 5A | 1V @ 100mA, 1A | 1V @ 100mA, 1A | 1V @ 100mA, 1A |
パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 5 A | 6 A | 6 A | 6 A |
周波数 - トランジション | 10MHz | 10MHz | 10MHz | 10MHz |
運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 40 @ 5A, 5V | 40 @ 1A, 5V | 120 @ 1A, 5V | 40 @ 1A, 5V |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 70 V | 120 V | 120 V | 120 V |
トランジスタ型式 | NPN | NPN | NPN | NPN |
シリーズ | - | - | - | - |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 20µA (ICBO) | 1mA (ICBO) | 1mA (ICBO) | 1mA (ICBO) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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