IRFR220BTMの技術仕様
Fairchild Semiconductor - IRFR220BTM技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - IRFR220BTM仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 800mOhm @ 2.3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 40W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 390 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.6A (Tc) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor IRFR220BTMと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFR220BTM | IRFR214TRPBF | IRFR214TRRPBF | IRFR220NTRPBF |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 390 pF @ 25 V | 140 pF @ 25 V | 140 pF @ 25 V | 300 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
| シリーズ | - | - | - | HEXFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.6A (Tc) | 2.2A (Tc) | 2.2A (Tc) | 5A (Tc) |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 40W (Tc) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | 43W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 250 V | 250 V | 200 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 10 V | 23 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 800mOhm @ 2.3A, 10V | 2Ohm @ 1.3A, 10V | 2Ohm @ 1.3A, 10V | 600mOhm @ 2.9A, 10V |
IRFR220N(92-2427)IRIRFR214TRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.2A DPAKIRFR214TRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.2A DPAKIRFR220NIRIRFR220NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 5A DPAKIRFR220 MOSIRIRFR214TRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
IRFR220BTFFairchild (onsemi)IRFR220BTF MOSFairchild (onsemi)IRFR2209AHarris CorporationPFET, 4.6A I(D), 200V, 0.8OHM, 1IRFR220AVBSEMI
IRFR220N MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)
IRFR220NTRPBF MOSLUMILEDS
IRFR220NPBFInternational RectifierIRFR220 - 12V-300V N-CHANNEL POWIRFR220NTRPBF.IRIRFR220NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 5A DPAKIRFR220NTRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 5A DPAKIRFR220Harris CorporationMOSFET N-CH 200V 4.6A TO252AA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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