HUFA76413DK8Tの技術仕様
Fairchild Semiconductor - HUFA76413DK8T技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - HUFA76413DK8T仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | UltraFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 49mOhm @ 5.1A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2.5W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 620pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.1A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | HUFA76413 |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor HUFA76413DK8Tと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HUFA76413DK8T | HUFA76413DK8 | HUFA76413DK8T | HUFA76419D3 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23nC @ 10V | 23nC @ 10V | 23nC @ 10V | 27.5 nC @ 10 V |
| シリーズ | UltraFET™ | UltraFET® | UltraFET™ | UltraFET™ |
| 電力 - 最大 | 2.5W | 2.5W (Ta) | 2.5W | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 49mOhm @ 5.1A, 10V | 49mOhm @ 5.1A, 10V | 49mOhm @ 5.1A, 10V | 37mOhm @ 20A, 10V |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.1A | 5.1A (Tc) | 5.1A | 20A (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 基本製品番号 | HUFA76413 | HUFA76413 | HUFA76413 | HUFA76 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 620pF @ 25V | 620pF @ 25V | 620pF @ 25V | 900 pF @ 25 V |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | I-PAK |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | 60V | 60V | 60 V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
HUFA76419D3onsemiMOSFET N-CH 60V 20A IPAKHUFA76409D3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 18A TO252AAHUFA76419D3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 20A TO252AAHUFA76409D3STFairchild SemiconductorN-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFETHUFA76409D3ST MOSFairchild (onsemi)HUFA76407P3Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 13A TO220-3HUFA76419P3Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
HUFA76419P3onsemiMOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
HUFA76419D3SonsemiMOSFET N-CH 60V 20A TO252AAHUFA76419D3STFairchild SemiconductorN-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFETHUFA76413DK8Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETHUFA76407P3onsemiMOSFET N-CH 60V 13A TO220-3HUFA76407DK8T-NLFairchild (onsemi)HUFA76419D3STonsemiMOSFET N-CH 60V 20A TO252AAHUFA76409P3onsemiMOSFET N-CH 60V 18A TO220-3HUFA76409D3SonsemiMOSFET N-CH 60V 18A TO252AAHUFA76413DK8TonsemiMOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOHUFA76413P3onsemiMOSFET N-CH 60V 23A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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