HUF76132S3STの技術仕様
Fairchild Semiconductor - HUF76132S3ST技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - HUF76132S3ST仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Fairchild (onsemi) | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB | |
シリーズ | UltraFET™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 11mOhm @ 75A, 10V | |
電力消費(最大) | 120W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1650 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 75A (Tc) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor HUF76132S3STと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | HUF76132S3ST | HUF76131SK8T | HUF76129S3ST | HUF76139S3 |
メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
FET特長 | - | - | - | - |
電力消費(最大) | 120W (Tc) | 2.5W (Ta) | 105W (Tc) | 200W (Tc) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 11mOhm @ 75A, 10V | 13mOhm @ 10A, 10V | 16Ohm @ 56A, 10V | 7.5mOhm @ 75A, 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1650 pF @ 25 V | 1605 pF @ 25 V | 1350 pF @ 25 V | 2700 pF @ 25 V |
パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
シリーズ | UltraFET™ | UltraFET® | UltraFET® | - |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±16V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 75A (Tc) | 10A (Ta) | 56A (Tc) | 75A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB | 8-SOIC | D2PAK (TO-263) | I2PAK (TO-262) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 52 nC @ 10 V | 47 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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