HUF75623P3の技術仕様
Fairchild Semiconductor - HUF75623P3技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - HUF75623P3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | UltraFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 64mOhm @ 22A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 85W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 790 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 52 nC @ 20 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor HUF75623P3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HUF75623P3 | HUF75545S3ST | HUF75623P3 | HUF75617D3S |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 52 nC @ 20 V | 235 nC @ 20 V | 52 nC @ 20 V | 39 nC @ 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Tc) | 75A (Tc) | 22A (Tc) | 16A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 64mOhm @ 22A, 10V | 10mOhm @ 75A, 10V | 64mOhm @ 22A, 10V | 90mOhm @ 16A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 80 V | 100 V | 100 V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| シリーズ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ |
| 電力消費（最大） | 85W (Tc) | 270W (Tc) | 85W (Tc) | 64W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 790 pF @ 25 V | 3750 pF @ 25 V | 790 pF @ 25 V | 570 pF @ 25 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | D²PAK (TO-263) | TO-220-3 | TO-252AA |
| FET特長 | - | - | - | - |
HUF75545S3STonsemiMOSFET N-CH 80V 75A D2PAKHUF75623P3onsemiMOSFET N-CH 100V 22A TO220-3HUF75617D3SonsemiMOSFET N-CH 100V 16A TO252AAHUF75617D3STonsemiMOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
HUF75617D3 MOSFairchild (onsemi)HUF75631P3onsemiMOSFET N-CH 100V 33A TO220-3HUF75623S3SFairchild (onsemi)HUF75631S3SonsemiMOSFET N-CH 100V 33A D2PAKHUF75545S3STFairchild SemiconductorN-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFETHUF75617D3ST MOSFairchild (onsemi)HUF75631S3STonsemiMOSFET N-CH 100V 33A D2PAKHUF75631S3SFairchild SemiconductorN CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4HUF75545S3S MOSFairchild (onsemi)HUF75617D3S MOSFairchild (onsemi)HUF75631S3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 33A D2PAKHUF75545S3ST MOSFairchild (onsemi)HUF75631P3Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 33A TO220-3HUF75631PFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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