HUF75337P3の技術仕様
Fairchild Semiconductor - HUF75337P3技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - HUF75337P3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | UltraFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 175W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1775 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 109 nC @ 20 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor HUF75337P3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HUF75337P3 | HUF75337S3S | HUF75339G3 | HUF75337P3 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| シリーズ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-247-3 | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 109 nC @ 20 V | 109 nC @ 20 V | 130 nC @ 20 V | 109 nC @ 20 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 75A, 10V | 14mOhm @ 75A, 10V | 12mOhm @ 75A, 10V | 14mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 175W (Tc) | 175W (Tc) | 200W (Tc) | 175W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1775 pF @ 25 V | 1775 pF @ 25 V | 2000 pF @ 25 V | 1775 pF @ 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | D²PAK (TO-263) | TO-247 | TO-220-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 55 V | 55 V | 55 V |
HUF75337S3SonsemiMOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
HUF75332S3ST MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)HUF75339G3Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 55V 75A TO247-3HUF75337P3onsemiMOSFET N-CH 55V 75A TO220-3HUF75339P3onsemiMOSFET N-CH 55V 75A TO220-3HUF75332S3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 55V 52A D2PAKHUF75333P3onsemiMOSFET N-CH 55V 66A TO220-3HUF75333P3Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
HUF75339G3onsemiMOSFET N-CH 55V 75A TO247-3HUF75332S3STonsemiMOSFET N-CH 55V 60A D2PAKHUF75333P3Harris CorporationMOSFET N-CH 55V 66A TO220-3HUF75343G3Harris CorporationMOSFET N-CH 55V 75A TO247HUF75343G3Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 55V 75A TO247-3HUF75337P3Harris CorporationMOSFET N-CH 55V 75A TO220-3HUF75339P3 MOSFairchild (onsemi)HUF75339P3Harris CorporationMOSFET N-CH 55V 75A TO220-3HUF75333S3STonsemiMOSFET N-CH 55V 66A D2PAKHUF75333S3STHarris CorporationMOSFET N-CH 55V 66A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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