HGTP14N36G3VLの技術仕様
Fairchild Semiconductor - HGTP14N36G3VL技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - HGTP14N36G3VL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 390 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.2V @ 5V, 14A | |
| 試験条件 | - | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | - | |
| エネルギーの切り替え | - | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 100 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力タイプ | Logic | |
| IGBTタイプ | Trench | |
| ゲートチャージ | 24 nC | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 18 A |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor HGTP14N36G3VLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HGTP14N36G3VL | HGTP12N60A4 | HGTP20N60A4 | HGTP12N60A4D |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.2V @ 5V, 14A | 2.7V @ 15V, 12A | 2.7V @ 15V, 20A | 2.7V @ 15V, 12A |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 390 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 電力 - 最大 | 100 W | 167 W | 290 W | 167 W |
| シリーズ | - | - | - | - |
| エネルギーの切り替え | - | 55µJ (on), 50µJ (off) | 105µJ (on), 150µJ (off) | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 入力タイプ | Logic | Standard | Standard | Standard |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ゲートチャージ | 24 nC | 78 nC | 142 nC | 78 nC |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 18 A | 54 A | 70 A | 54 A |
| 試験条件 | - | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | - | 17ns/96ns | 15ns/73ns | 17ns/96ns |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| IGBTタイプ | Trench | - | - | - |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
HGTP20N60C3Fairchild (onsemi)HGTP12N60A4 12N60A4FSCHGTP12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO220ABHGTP14N41G3Fairchild (onsemi)HGTP20N60A4onsemiIGBT 600V 70A TO220-3HGTP14N40F3VLFairchild (onsemi)HGTP12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A TO220-3HGTP2N120CNonsemiIGBT 1200V 13A 104W TO220ABHGTP12N60A4DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP2N120BNDFairchild (onsemi)HGTP20N60B3HARRISHGTP12N60A4Harris CorporationHGTP12N60 - 24A, 600V, RUGGED, U
HGTP12N60B3DIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGTP12N60C3DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP1N120BNDFairchild (onsemi)HGTP12N60C3onsemiIGBT 600V 24A 104W TO220ABHGTP1N120CNDFairchild (onsemi)HGTP12N60C3DonsemiIGBT 600V 24A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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