H11F1Mの技術仕様
Fairchild Semiconductor - H11F1M技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - H11F1M仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 電圧 - 出力（最大） | 30V | |
| 電圧 - 絶縁 | 4170Vrms | |
| 電圧 - フォワード（Vf）（標準） | 1.3V | |
| Vce飽和（最大） | - | |
| オン/オフ時間（Typ） | 45µs, 45µs (Max) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-DIP | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | - | |
| パッケージ/ケース | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Box | |
| 出力タイプ | MOSFET | |
| 運転温度 | -40°C ~ 100°C | |
| チャネル数 | 1 | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力タイプ | DC | |
| 電流伝達率（最小） | - | |
| 電流伝達率（最大） | - | |
| 電流 - 出力/チャンネル | 100mA | |
| 電流 - DC順方向（If）（最大） | 60 mA |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor H11F1Mと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | H11F1M | H11F1VM | H11F1M | H11F2SD |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| パッケージ/ケース | 6-DIP (0.300", 7.62mm) | 6-DIP (0.300", 7.62mm) | 6-DIP (0.300', 7.62mm) | 6-SMD, Gull Wing |
| 電圧 - 絶縁 | 4170Vrms | 7500Vpk | 7500Vpk | 5300Vrms |
| 電流伝達率（最小） | - | - | - | - |
| 立上り/立下り時間（Typ） | - | - | - | - |
| 入力タイプ | DC | DC | DC | DC |
| 電流 - 出力/チャンネル | 100mA | - | - | - |
| チャネル数 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 出力タイプ | MOSFET | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-DIP | 6-DIP | 6-DIP | 6-SMD |
| オン/オフ時間（Typ） | 45µs, 45µs (Max) | 45µs, 45µs (Max) | 45µs, 45µs (Max) | 25µs, 25µs (Max) |
| 電圧 - 出力（最大） | 30V | 30V | 30V | 30V |
| 電流 - DC順方向（If）（最大） | 60 mA | 60 mA | 60 mA | 60 mA |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Box | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（標準） | 1.3V | 1.3V | 1.3V | 1.3V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| 電流伝達率（最大） | - | - | - | - |
| 運転温度 | -40°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C |
| Vce飽和（最大） | - | - | - | - |
H11D4.SAMI Semiconductor/onsemiH11F1VMonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIPH11D4.3SDAMI Semiconductor/onsemiH11F1MonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIPH11F2SDonsemiOPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMDH11F1SR2MonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMDH11F1SDonsemiOPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMDH11F2MonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIPH11D4.300WAMI Semiconductor/onsemi
H11D3WonsemiOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
H11D4-SMIsocom ComponentsH11D4.SDAMI Semiconductor/onsemiH11D4.3SAMI Semiconductor/onsemiH11D4SDonsemiOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMDH11D4.300AMI Semiconductor/onsemiH11F1SonsemiOPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMDH11F2SR2MAMI Semiconductor/onsemiH11F1SMonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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