FSB50660SFTの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FSB50660SFT技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FSB50660SFT仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Fairchild (onsemi) | |
電圧 - 絶縁 | 1500Vrms | |
電圧 | 600 V | |
タイプ | MOSFET | |
シリーズ | Motion SPM® 5 SuperFET® |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm) | |
パッケージ | Bulk | |
装着タイプ | Through Hole | |
現在 | 3.1 A | |
コンフィギュレーション | 3 Phase |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FSB50660SFTと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | FSB50660SFT | FSB50825AB | FSB50825AT | FSB50550T |
メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
コンフィギュレーション | 3 Phase | 3 Phase | 3 Phase Inverter | 3 Phase |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
電圧 | 600 V | 250 V | 250 V | 500 V |
パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
電圧 - 絶縁 | 1500Vrms | 1500Vrms | 1500Vrms | 1500Vrms |
パッケージ/ケース | 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm) | 23-PowerDIP Module (0.644", 16.35mm) | 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm) | 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm) |
シリーズ | Motion SPM® 5 SuperFET® | Motion-SPM® | Motion SPM® 5 | Motion SPM® 5 |
タイプ | MOSFET | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
現在 | 3.1 A | 3.6 A | 3.6 A | 1.8 A |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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