FQU13N06LTUの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FQU13N06LTU技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FQU13N06LTU仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 115mOhm @ 5.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 350 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.4 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FQU13N06LTUと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQU13N06LTU | FQU12N20TU | FQU11P06TU | FQU12N20TU |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 200 V | 60 V | 200 V |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) | 9A (Tc) | 9.4A (Tc) | 9A (Tc) |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 115mOhm @ 5.5A, 10V | 280mOhm @ 4.5A, 10V | 185mOhm @ 4.7A, 10V | 280mOhm @ 4.5A, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.4 nC @ 5 V | 23 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 23 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 350 pF @ 25 V | 910 pF @ 25 V | 550 pF @ 25 V | 910 pF @ 25 V |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | I-PAK | I-PAK | I-PAK |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | 10V | 10V | 10V |
FQU13N06LTU MOSFairchild (onsemi)FQU12N20TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 9A I-PAKFQU11P06VBSEMIFQU11P06TUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FQU12N20TUonsemiMOSFET N-CH 200V 9A IPAKFQU13N10LTUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQU16N05LFairchild (onsemi)FQU13N06LVBSEMIFQU13N10L MOSFairchild (onsemi)FQU12N20Fairchild (onsemi)FQU13N06LTUonsemiMOSFET N-CH 60V 11A IPAKFQU11P06TUonsemiMOSFET P-CH 60V 9.4A IPAKFQU13N06VBSEMIFQU10N65CFairchild (onsemi)FQU13N10LFairchild (onsemi)FQU13N10VBSEMIFQU13N10LTUonsemiMOSFET N-CH 100V 10A IPAKFQU12N20TU MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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