FQPF9N25CYDTUの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FQPF9N25CYDTU技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FQPF9N25CYDTU仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F-3 (Y-Forming) | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 430mOhm @ 4.4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 38W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 710 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.8A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FQPF9N25CYDTUと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQPF9N25CYDTU | FQPF9N25CYDTU | FQPF9N50CF | FQPF90N10V2 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| シリーズ | QFET® | QFET® | FRFET® | QFET® |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 430mOhm @ 4.4A, 10V | 430mOhm @ 4.4A, 10V | 850mOhm @ 4.5A, 10V | 10mOhm @ 45A, 10V |
| パッケージ | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V | 250 V | 500 V | 100 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F-3 (Y-Forming) | TO-220F-3 (Y-Forming) | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 710 pF @ 25 V | 710 pF @ 25 V | 1030 pF @ 25 V | 6150 pF @ 25 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 191 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.8A (Tc) | 8.8A (Tc) | 9A (Tc) | 90A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| 電力消費（最大） | 38W (Tc) | 38W (Tc) | 44W (Tc) | 83W (Tc) |
FQPF90N10V2 MOSFairchild (onsemi)FQPF9N25CYDTUonsemiMOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3FQPF9N50CFonsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FQPF90N10V2onsemiMOSFET N-CH 100V 90A TO220FFQPF9N30onsemiMOSFET N-CH 300V 6A TO220FFQPF9N50ConsemiMOSFET N-CH 500V 9A TO220FFQPF90N10V2Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 90A TO220FFQPF9N50CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3FQPF9N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 5.3A TO220FFQPF9N30Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 300V 6A TO220FFQPF9N25CRDTUFairchild Semiconductor8.8A, 250V, N-CHANNEL, MOSFETFQPF9N25C MOSFairchild (onsemi)FQPF9N25CYDTU MOSFairchild (onsemi)FQPF9N25CRDTU MOSFairchild (onsemi)FQPF9N25ConsemiMOSFET N-CH 250V 8.8A TO220FFQPF9N50onsemiMOSFET N-CH 500V 5.3A TO220FFQPF9N15onsemiMOSFET N-CH 150V 6.9A TO220FFQPF9N50CFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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