FQPF3N80Cの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FQPF3N80C技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FQPF3N80C仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F-3 | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 39W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 705 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FQPF3N80Cと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQPF3N80C | FQPF3N90 | FQPF3N25 | FQPF3P20 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 705 pF @ 25 V | 910 pF @ 25 V | 170 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V | 4.25Ohm @ 1.05A, 10V | 2.2Ohm @ 1.15A, 10V | 2.7Ohm @ 1.1A, 10V |
| 電力消費（最大） | 39W (Tc) | 43W (Tc) | 27W (Tc) | 32W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16.5 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 5.2 nC @ 10 V | 8 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Tc) | 2.1A (Tc) | 2.3A (Tc) | 2.2A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | 900 V | 250 V | 200 V |
FQPF3N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 2.1A TO220FFQPF3N50CTFairchild (onsemi)FQPF3N60CVBSEMIFQPF3N25onsemiMOSFET N-CH 250V 2.3A TO220FFQPF3P20onsemiMOSFET P-CH 200V 2.2A TO220FFQPF3N80onsemiMOSFET N-CH 800V 1.8A TO220FFQPF40N10Fairchild (onsemi)FQPF3N90CFairchild (onsemi)FQPF3N50CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 3A TO220FFQPF3P20 MOSFairchild (onsemi)FQPF3N50ConsemiMOSFET N-CH 500V 3A TO220FFQPF44N10onsemiMOSFET N-CH 100V 27A TO220FFQPF3N40Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FFQPF3N90onsemiMOSFET N-CH 900V 2.1A TO220FFQPF3N40onsemiMOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FFQPF3N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 1.8A TO220FFQPF3P20Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 200V 2.2A TO220FFQPF3N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 3A TO220F| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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