FQP6N60Cの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FQP6N60C技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FQP6N60C仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2Ohm @ 2.75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 125W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 810 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.5A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FQP6N60Cと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQP6N60C | FQP6N50C | FQP6N50C | FQP6N90C |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 810 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V | 1770 pF @ 25 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| 電力消費（最大） | 125W (Tc) | 98W (Tc) | 98W (Tc) | 167W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 500 V | 500 V | 900 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 6A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2Ohm @ 2.75A, 10V | 1.2Ohm @ 2.8A, 10V | 1.2Ohm @ 2.8A, 10V | 2.3Ohm @ 3A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
FQP6N50ConsemiMOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3FQP6N50CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3FQP6N80 MOSFairchild (onsemi)FQP6N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 6A TO220-3FQP6N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3FQP6N40CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FQP6N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3FQP6N40CFonsemiMOSFET N-CH 400V 6A TO220-3FQP6N50onsemiMOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3FQP6N90onsemiMOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3FQP6P25Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 250V 6A TO220-3FQP6N80CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5FQP6N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3FQP6N40CFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FQP6N90C MOSFairchild (onsemi)FQP6N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3FQP6N40ConsemiMOSFET N-CH 400V 6A TO220-3FQP6N80onsemiMOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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