FQP3P20の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FQP3P20技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FQP3P20仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.7Ohm @ 1.4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 52W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 250 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.8A (Tc) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FQP3P20と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQP3P20 | FQP3N80C | FQP3N60C | FQP44N10 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.7Ohm @ 1.4A, 10V | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V | 3.4Ohm @ 1.5A, 10V | 39mOhm @ 21.75A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電力消費（最大） | 52W (Tc) | 107W (Tc) | 75W (Tc) | 146W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8 nC @ 10 V | 16.5 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 62 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| パッケージ | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.8A (Tc) | 3A (Tc) | 3A (Tc) | 43.5A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±25V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 800 V | 600 V | 100 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 250 pF @ 25 V | 705 pF @ 25 V | 565 pF @ 25 V | 1800 pF @ 25 V |
FQP3N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 3A TO220-3FQP3N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQP44N10onsemiMOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3FQP3N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 3A TO220-3FQP3P50Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FQP44N08onsemiMOSFET N-CH 80V 44A TO220-3FQP3N90onsemiMOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3FQP3P50onsemiMOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3FQP3P50 MOSFairchild (onsemi)FQP3N60onsemiMOSFET N-CH 600V 3A TO220-3FQP3P20onsemiMOSFET P-CH 200V 2.8A TO220-3FQP3N80onsemiMOSFET N-CH 800V 3A TO220-3FQP44N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 44A TO220-3FQP3N80C MOSFairchild (onsemi)FQP44N10Fairchild SemiconductorPOWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 1FQP3N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3FQP3N80CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQP3P20 MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。