FQB55N10TMの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FQB55N10TM技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FQB55N10TM仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (TO-263) | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 26mOhm @ 27.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.75W (Ta), 155W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2730 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 98 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 55A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FQB55N10TMと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQB55N10TM | FQB55N06TM | FQB5N50CTM | FQB55N06TM |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| Vgs（最大） | ±25V | ±25V | ±30V | ±25V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 26mOhm @ 27.5A, 10V | 20mOhm @ 27.5A, 10V | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V | 20mOhm @ 27.5A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 98 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 60 V | 500 V | 60 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 55A (Tc) | 55A (Tc) | 5A (Tc) | 55A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2730 pF @ 25 V | 1690 pF @ 25 V | 625 pF @ 25 V | 1690 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 3.75W (Ta), 155W (Tc) | 3.75W (Ta), 133W (Tc) | 73W (Tc) | 3.75W (Ta), 133W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
FQB5N50CTFFairchild (onsemi)FQB55N06TMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 55A D2PAKFQB5N50CTMonsemiMOSFET N-CH 500V 5A D2PAKFQB5N50Fairchild (onsemi)FQB55N06TMonsemiMOSFET N-CH 60V 55A D2PAKFQB55N10TMonsemiMOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
FQB50N06TM MOSAMI Semiconductor/onsemiFQB5N50CTMFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5FQB5N40AMI Semiconductor/onsemiFQB50N06TMonsemiMOSFET N-CH 60V 50A D2PAKFQB55N10Fairchild (onsemi)FQB50N06LTMonsemiMOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAKFQB5N50CFairchild (onsemi)FQB50N06L MOSFairchild (onsemi)FQB5N20Fairchild (onsemi)FQB5N30TMonsemiMOSFET N-CH 300V 5.4A D2PAKFQB50N06TMFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5FQB5N50TMonsemiMOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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