FJV3114RMTFの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FJV3114RMTF技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FJV3114RMTF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 50 V | |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| トランジスタ型式 | NPN - Pre-Biased | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | |
| シリーズ | - | |
| 抵抗器ベース（R2） | 47 kOhms | |
| 抵抗器 - ベース（R1） | 4.7 kOhms | |
| 電力 - 最大 | 200 mW |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Bulk | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 周波数 - トランジション | 250 MHz | |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 68 @ 5mA, 5V | |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100nA (ICBO) | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 100 mA | |
| 基本製品番号 | FJV311 |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FJV3114RMTFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FJV3114RMTF | FJV3110RMTF | FJV3110RMTF | FJV4103RMTF |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 電力 - 最大 | 200 mW | 200 mW | 200 mW | 200 mW |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 50 V | 40 V | 40 V | 50 V |
| 抵抗器ベース（R2） | 47 kOhms | - | - | 22 kOhms |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 抵抗器 - ベース（R1） | 4.7 kOhms | 10 kOhms | 10 kOhms | 22 kOhms |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 周波数 - トランジション | 250 MHz | 250 MHz | 250 MHz | 200 MHz |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 300mV @ 500µA, 10mA | 300mV @ 1mA, 10mA | 300mV @ 1mA, 10mA | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 68 @ 5mA, 5V | 100 @ 1mA, 5V | 100 @ 1mA, 5V | 56 @ 5mA, 5V |
| トランジスタ型式 | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 基本製品番号 | FJV311 | FJV311 | FJV311 | FJV410 |
| シリーズ | - | - | - | - |
FJV3110RMTFFairchild Semiconductor0.1A, 40V, NPNFJV3110RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3FJV4103RMTFFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORFJV4101RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4101RMTFFairchild Semiconductor0.1A, 50V, PNPFJV3106RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3FJV3115RMTFFairchild Semiconductor0.1A, 50V, NPNFJV4102RMTFFairchild Semiconductor0.1A, 50V, PNPFJV3111RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3FJV4102RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV3108RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3FJV3114RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3FJV4103RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV3113RMTFFairchild Semiconductor0.1A, 50V, NPNFJV3111RMTFFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORFJV3115RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3FJV3113RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3FJV3109RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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