FDU8882の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDU8882技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDU8882仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11.5mOhm @ 35A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 55W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1260 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12.6A (Ta), 55A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDU8882と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDU8882 | FDU8882 | FDU8878 | FDU8896 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | I-PAK | I-PAK | I-PAK |
| 電力消費（最大） | 55W (Tc) | 55W (Tc) | 40W (Tc) | 80W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1260 pF @ 15 V | 1260 pF @ 15 V | 880 pF @ 15 V | 2525 pF @ 15 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11.5mOhm @ 35A, 10V | 11.5mOhm @ 35A, 10V | 15mOhm @ 35A, 10V | 5.7mOhm @ 35A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12.6A (Ta), 55A (Tc) | 12.6A (Ta), 55A (Tc) | 11A (Ta), 40A (Tc) | 17A (Ta), 94A (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
FDU8876 MOSFairchild (onsemi)FDUCOM2SERCELFDU8882onsemiMOSFET N-CH 30V 12.6A/55A IPAKFDU8896 MOSFairchild (onsemi)FDU8880_NL MOSFairchild (onsemi)FDU8878onsemiMOSFET N-CH 30V 11A/40A IPAKFDU8896onsemiMOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAKFDU8880 MOSFairchild (onsemi)FDU8896Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAKFDU8878 MOSFairchild (onsemi)
FDUE0640-H-R42MP3Murata Power SolutionsFDU8878Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 11A/40A IPAKFDUE0640-H-R24MP3Murata ElectronicsFDUE0640-R42MP3Murata ElectronicsFDU8896-NF071Fairchild (onsemi)FDUE0630-H-R12MP3Murata ElectronicsFDU8880onsemiMOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAKFDU8880Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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