FDU6N50TUの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDU6N50TU技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDU6N50TU仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | |
| シリーズ | UniFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 900mOhm @ 3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 89W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 940 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16.6 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDU6N50TUと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDU6N50TU | FDU6N50TU | FDU7030BL | FDU6688 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 30 V | 30 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | I-PAK | I-PAK | I-PAK |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 940 pF @ 25 V | 940 pF @ 25 V | 1425 pF @ 15 V | 3845 pF @ 15 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±20V | ±20V |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 89W (Tc) | 89W (Tc) | 2.8W (Ta), 60W (Tc) | 83W (Ta) |
| シリーズ | UniFET™ | UniFET™ | PowerTrench® | PowerTrench® |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16.6 nC @ 10 V | 16.6 nC @ 10 V | 20 nC @ 5 V | 56 nC @ 5 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 900mOhm @ 3A, 10V | 900mOhm @ 3A, 10V | 9.5mOhm @ 14A, 10V | 5mOhm @ 18A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) | 6A (Tc) | 14A (Ta), 56A (Tc) | 84A (Ta) |
FDU6N50TUonsemiMOSFET N-CH 500V 6A IPAKFDU7N60NZFairchild (onsemi)FDU7030BLFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 14A/56A IPAKFDU6796AFairchild (onsemi)FDU6688Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 84A IPAKFDU7N60NZTUonsemiMOSFET N-CH 600V 5.5A IPAKFDU7030BLonsemiMOSFET N-CH 30V 14A/56A IPAKFDU6N25Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDU7N60NZTUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 5.5A I-PAKFDU6692Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDU6N50Fairchild (onsemi)FDU6N25onsemiMOSFET N-CH 250V 4.4A IPAKFDU8580Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 20V 35A IPAKFDU6688onsemiMOSFET N-CH 30V 84A I-PAKFDU8778Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 25V 35A IPAKFDU8778onsemiMOSFET N-CH 25V 35A I-PAKFDU6780AFairchild (onsemi)FDU8580onsemiMOSFET N-CH 20V 35A I-PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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