FDS6900ASの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDS6900AS技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDS6900AS仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Fairchild (onsemi) | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
シリーズ | PowerTrench®, SyncFET™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 27mOhm @ 6.9A, 10V | |
電力 - 最大 | 900mW | |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 600pF @ 15V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 15nC @ 10V | |
FET特長 | Logic Level Gate | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.9A, 8.2A | |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
基本製品番号 | FDS69 |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDS6900ASと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | FDS6900AS | FDS6900S | FDS6900AS | FDS6898AZ |
メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 15nC @ 10V | 11nC @ 5V, 17nC @ 5V | 15nC @ 10V | 23nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.9A, 8.2A | 6.9A (Ta), 8.2A (Ta) | 6.9A, 8.2A | 9.4A |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 600pF @ 15V | 771pF @ 15V, 1238pF @ 15V | 600pF @ 15V | 1821pF @ 10V |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
電力 - 最大 | 900mW | 900mW (Ta) | 900mW | 900mW |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | 30V | 30V | 20V |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
シリーズ | PowerTrench®, SyncFET™ | PowerTrench® | PowerTrench®, SyncFET™ | PowerTrench® |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | FDS69 | FDS69 | FDS69 | FDS6898 |
パッケージ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA, 3V @ 1mA | 3V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 27mOhm @ 6.9A, 10V | 30mOhm @ 6.9A, 10V, 22mOhm @ 8.2A, 10V | 27mOhm @ 6.9A, 10V | 14mOhm @ 9.4A, 4.5V |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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