FDS6685の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDS6685技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDS6685仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 8.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1604 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.8A (Ta) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDS6685と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDS6685 | FDS6688 | FDS6681Z | FDS6688AS |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 8.8A, 10V | 6mOhm @ 16A, 10V | 4.6mOhm @ 20A, 10V | 6mOhm @ 14.5A, 10V |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24 nC @ 5 V | 56 nC @ 5 V | 260 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1604 pF @ 15 V | 3888 pF @ 15 V | 7540 pF @ 15 V | 2510 pF @ 15 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.8A (Ta) | 16A (Ta) | 20A (Ta) | 14.5A (Ta) |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs（最大） | ±25V | ±20V | ±25V | ±20V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
FDS6681Z MOSFairchild (onsemi)FDS6688onsemiMOSFET N-CH 30V 16A 8SOICFDS6681ZonsemiMOSFET P-CH 30V 20A 8SOICFDS6688ASonsemiMOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOICFDS6682_NL.Fairchild (onsemi)FDS6688Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 16A 8SOICFDS6685onsemiMOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOICFDS6682 MOSFairchild (onsemi)FDS6682Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDS6688 MOSFairchild (onsemi)FDS6685-NLVBSEMIFDS6682_NLFairchild (onsemi)FDS6682-NLFairchild (onsemi)FDS6685A-NLFairchild (onsemi)FDS6681Z-NLVBSEMIFDS6688ASFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOICFDS6685_NL.Fairchild (onsemi)FDS6688AFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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